반도체 (20) 썸네일형 리스트형 PRAM (Phase Ram) 현재 사용되는 메모리를 대체하기 위한 또 하나의 메모리인 MRAM 은 Field-writing MRAM과 STTM RAM(spin-transfer torque MRAM; 스핀변화 자화반전 메모리)으로 나뉜다. Field-writing MRAM은 전류 주위에 자기장을 읽는 메모리로 현재 16메가 비트 까지 상용화되었다. 또한, 임베디드(embedded) 형태의 메모리로 사용되고 있지만, 높은 쓰기 전류 때문에 크기를 작게 함에 있어 단점이 있다. STTRAM은 SRAM, DRAM의 장점을 모두 갖고 있으며, 저전력에 비휘발성 특성이 있다. STTMRAM은 전자의 회전 성질을 이용한 MTJ(Magnetic Tunnel Junction; 자기접합터널)를 이용하여 전류의 흐름과 차단을 구현한다. 따라서 MJT의.. ReRam (저항변화 메모리) 우리가 보통 생각하는 반도체 메모리가 되기 위해서는 0과 1을 표현할 수 있어야 한다. DRAM의 경우 Capacitor에서 전위를 유지하며 이를 표시하고 NAND의 경우에는 절연층에 전자의 유무에 따른 Vth의 차이로 이를 표시한다. 차세대 메모리중 하나인 저항변화 메모리(ReRam)는 중간층인 절연층에서의 두 개의 구별되는 저항 상태를 “0” 또는 “1”로 기억하는 메모리 소자이다. ReRAM은 금속-절연체-금속 구조로 이루어져 있으며, 중간층에 금속산화물 혹은 perovskite-type 산화물 등을 사용한다. 하부 전극을 그라운드 상태에 놓고 상부 전극에 전류나 전압을 인가하게 되면 중간층에서의 저항의 변화가 일어나게 된다. 고 저항 상태와 저저항 상태로 변하는 것을 “0”과 “1”로 구별을 하여.. 삼성전자 HBM2, GDDR6, 엑시노스의 차이 우선 HBM와 GDDR은 컴퓨터 그래픽 카드에 사용되는 반도체입니다. 엑시노스는 스마트 폰용 AP입니다. HBM은 AMD에서 제안한 메모리 인터페이스로 기존의 DDR 메모리보다 고대역폭에서 작동하고 공정은 실리콘을 관통하는 TSV 공정으로 Memory chip과 Logic chip을 연결하여 구동 됩니다. (TSV방식) 최근에는 한 chip에서 한번에 여러개의 HBM을 연결하는 SOC 형태의 chip이 주로 만들어지고 있습니다. GDDR메모리는 전력소모, 발열, 부피가 큰 특징을 가지고 있습니다. HBM과 가장 큰 다른점은 기존의 D램처럼 평면구조를 가지고 있습니다. 대신에 현재는 HBM보다 Cell density가 좋습니다. 엑시노스는 LSI 사업부에서 설계하고 파운드리 사업부가 만듭니다. 엑시노스 시.. Photo공정) Positive PR vs Negative PR의 기본적인 차이점 Positive PR vs Negative PR의 가장 큰 차이점 아래와 같이 Positive PR은 빛을 받은 부분이 Develope되고, Negative는 빛을 받지 않은 부분이 Develope 됩니다. 물론 윗 사실도 중요하지만 가장 중요한 것은 각각의 PR이 어디에 쓰이는 지라고 생각합니다. 이를 알기 위해서 PR의 Profile을 알아야 합니다. Positive PR -> 빛을 받은 부분이 화학반응을 하여 Polymer의 결합이 약해진다 Negative PR -> 빛을 받은 부분이 화학반응을 하여 Polymer의 결합이 강해진다 참고로 Mask를 통과한 빛은 회절현상 때문에 빛이 퍼지는 것은 물론 PR 내부의 촉매제(PAC)에 의해 빛을 받은 부분 외에 주위까지 화학 반응이 퍼져 나가게 됩니다... 이전 1 2 3 다음
