PRAM (Phase Ram)

 현재 사용되는 메모리를 대체하기 위한 또 하나의 메모리인 MRAM 은 Field-writing MRAM과 STTM RAM(spin-transfer torque MRAM; 스핀변화 자화반전 메모리)으로 나뉜다.

 

 Field-writing MRAM은 전류 주위에 자기장을 읽는 메모리로 현재 16메가 비트 까지 상용화되었다. 또한, 임베디드(embedded) 형태의 메모리로 사용되고 있지만, 높은 쓰기 전류 때문에 크기를 작게 함에 있어 단점이 있다.

 

 STTRAM은 SRAM, DRAM의 장점을 모두 갖고 있으며, 저전력에 비휘발성 특성이 있다. STTMRAM은 전자의 회전 성질을 이용한 MTJ(Magnetic Tunnel Junction; 자기접합터널)를 이용하여 전류의 흐름과 차단을 구현한다.  따라서 MJT의 구성에는 어려움이 요구되지만, 구조가 단순하고 고집적화와 저전력 구현이 가능하다. 하지만 ON/OFF ratio를 증가시킴에 있어 어려움이 있고, 작동 중에 인접한 셀에서의 간섭 효과가 있다.

 

 현재 MRAM은 원천 기술을 보유한 업체인 그랜디스를 합병한 삼성전자와 일본 도시바와 공동 개발을 하고 있는 하이닉스가 STTMRAM의 기술경쟁력을 확보 하기 위해 노력하고 있다.  또한 STTRAM의 단점이었던 인접 셀의 간섭효과는 전류가 강자성체를 통과할 때 강자성체의 자화방향을 강제로 변화시키는 특성이 발견되면서 전류방향에 따라 MJT 상황을 변화시켜 데이터를 기록함으로써 집적도를 높이고, 셀 간 간섭현상도 사라지는 것을 발견하였다. 이에 정부와 기업에서는 STTMRAM의 상용화를 위해 박차를 가하고 있는 상황이다.